RJP30H2A TO-263
ترانزیستور RJP30H2A یک IGBT (ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق‌شده) کانال N با فناوری ترنچ و ویفر نازک است که توسط شرکت Renesas تولید می‌شود. این قطعه برای کاربردهایی مانند منابع تغذیه سوئیچینگ، درایورهای موتور و تقویت‌کننده‌های قدرت طراحی شده است.
241,000 تومان
500 در انبار
-
Official retailer
-
Quality guaranteed
-
Free delivery from $99
-
Free returns is available
توضیحات
مشخصات فنی کلیدی
-
نوع: IGBT کانال N با دیود آنتی‌پراپال سریع
-
ولتاژ کلکتور-امیتر (V<sub>CE</sub>): حداکثر 360 ولت
-
جریان کلکتور (I<sub>C</sub>): حداکثر 35 آمپر در دمای 25°C
-
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (V<sub>CE(sat)</sub>): حدود 1.4 ولت (نرمال) در جریان 15 آمپر
-
توان اتلافی (P<sub>D</sub>): حداکثر 60 وات
-
بسته‌بندی: TO-263 (D2PAK) مناسب برای نصب سطحی (SMD)
-
ویژگی‌ها:
-
فناوری گیت ترنچ و ویفر نازک (سری G6H-II) برای بهبود عملکرد
-
سوئیچینگ با سرعت بالا و تلفات کم
-
دیود آنتی‌پراپال با بازیابی سریع و نرم
-
توضیحات تکمیلی
| کیفیت |
new orig |
|---|---|
| Package |
TO-263 |
برای ثبت نقد و بررسی وارد حساب کاربری خود شوید.
دیدگاهها
پاکسازی فیلترهیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.