GT30J127 30J127 TO-220

Type Designator: GT30J127
Type: IGBT
Type of IGBT Channel: N
Pcⓘ – Maximum Power Dissipation: 25 W
|Vce|ⓘ – Maximum Collector-Emitter Voltage: 600 V
|Ic|ⓘ – Maximum Collector Current: 30 A @25℃
|VCEsat|ⓘ – Collector-Emitter saturation Voltage, typ: 2.6 V @25℃
Tjⓘ – Maximum Junction Temperature: 150 ℃
Package:220F

mmFast Switching Applications Fourth-generation IGBT Enhancement mode type Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference) High speed: tf = 0.05 s (typ.) Low switching loss : Eon = 1.00 mJ (typ.) : Eoff = 0.80 mJ (typ

66,800 تومان

1 در انبار

شناسه محصول: ABC-35 دسته: , برچسب: , ,
14 نفر در حال مشاهده این محصول هستند!
  • Official retailer
  • Quality guaranteed
  • Free delivery from $99
  • Free returns is available

توضیحات

GT30J127 30J127 TO-22GT30J121 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT30J121 High Power Switching Applications Unit:

توضیحات تکمیلی

کیفیت

HIGH COPY

Package

TO-220

0 نقد و بررسی
0
0
0
0
0

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

اولین نفری باشید که دیدگاهی را ارسال می کنید برای “GT30J127 30J127 TO-220”