GT30J127 30J127 TO-220
Type Designator: GT30J127
Type: IGBT
Type of IGBT Channel: N
Pcⓘ – Maximum Power Dissipation: 25 W
|Vce|ⓘ – Maximum Collector-Emitter Voltage: 600 V
|Ic|ⓘ – Maximum Collector Current: 30 A @25℃
|VCEsat|ⓘ – Collector-Emitter saturation Voltage, typ: 2.6 V @25℃
Tjⓘ – Maximum Junction Temperature: 150 ℃
Package:220F
mmFast Switching Applications Fourth-generation IGBT Enhancement mode type Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference) High speed: tf = 0.05 s (typ.) Low switching loss : Eon = 1.00 mJ (typ.) : Eoff = 0.80 mJ (typ
66,800 تومان
1 در انبار
14
نفر در حال مشاهده این محصول هستند!
- Official retailer
- Quality guaranteed
- Free delivery from $99
- Free returns is available
توضیحات
GT30J127 30J127 TO-22GT30J121 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT30J121 High Power Switching Applications Unit:
توضیحات تکمیلی
کیفیت |
HIGH COPY |
---|---|
Package |
TO-220 |
نمره 0 از 5
0 نقد و بررسی
نمره 5 از 5
0
نمره 4 از 5
0
نمره 3 از 5
0
نمره 2 از 5
0
نمره 1 از 5
0
اولین نفری باشید که دیدگاهی را ارسال می کنید برای “GT30J127 30J127 TO-220” لغو پاسخ
برای ثبت نقد و بررسی وارد حساب کاربری خود شوید.
دیدگاهها
پاکسازی فیلترهیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.