GT60J323 60J323 TO-3PL TOSHIBA ORIGINAL
Type Designator: GT60J323
Type: IGBT + Anti-Parallel Diode
Type of IGBT Channel: N
Pcⓘ – Maximum Power Dissipation: 170 W
|Vce|ⓘ – Maximum Collector-Emitter Voltage: 600 V
|Vge|ⓘ – Maximum Gate-Emitter Voltage: 25 V
|Ic|ⓘ – Maximum Collector Current: 60 A @25℃
|VCEsat|ⓘ – Collector-Emitter saturation Voltage, typ: 1.9 V @25℃
Tjⓘ – Maximum Junction Temperature: 150 ℃
Qgⓘ – Total Gate Charge, typ: 400 nC
Package: TO3P
234,500 تومان
1 در انبار
-
Official retailer
-
Quality guaranteed
-
Free delivery from $99
-
Free returns is available
توضیحات
GT60J323 60J323 TO-3PL TOSHIBA ORIGINAL
GT60J323 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT60J323 Current Resonance Inverter Switching Application Unit: mm Enhancement mode type High speed : tf = 0.16 s (typ.) (IC = 60A) Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.9 V (typ.) (IC = 60A) FRD included between emitter and collector Fourth generation IGBT TO-3P(LH) (Toshiba
توضیحات تکمیلی
| کیفیت |
original |
|---|---|
| Package |
TO-247 |
برای ثبت نقد و بررسی وارد حساب کاربری خود شوید.
محصولات مشابه
00211/ SOT-252 transistor & mosfet
دیدگاهها
پاکسازی فیلترهیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.