RJK2017 TO-220F
ترانزیستور RJK2017 یک ترانزیستور MOSFET قدرت نوع N-channel است که معمولاً در منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)، کنترل موتور، و کاربردهای توان بالا استفاده می‌شود.
RJK5010 TO-3P
RJK5010 (با پکیج فلزی TO‑3P) همان مدل IRFP460 است – یک MOSFET N‑Channel قدرتمند با مشخصات توان بالا
RJK5020 RJK5020DPKTO-3P
ترانزیستور RJK5020DPK یک MOSFET کانال N از نوع Enhancement Mode است که توسط شرکت Renesas Electronics تولید شده و در بسته‌بندی TO-3P عرضه می‌شود. این قطعه برای سوئیچینگ توان بالا در کاربردهایی مانند منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)، درایورهای موتور و سیستم‌های صنعتی طراحی شده است.
RJK6026 RJK6026DPP TO-220F
تراشه RJK6026 در پکیج TO-220F معمولاً یک ترانزیستور ماسفت (MOSFET) است که کاربرد زیادی در مدارهای سوئیچینگ و تقویت توان دارد.
RJP2557 TO-3P
تراشه RJP2557 در بسته‌بندی TO-3P یک ترانزیستور قدرت MOSFET است که معمولاً برای کاربردهای سوئیچینگ و آمپلیفایرهای قدرت استفاده می‌شود.
RJP3045 TO 220F
آی‌سی RJP3045 یک ترانزیستور MOSFET قدرت است که برای سوئیچینگ و کاربردهای قدرت بالا طراحی شده است. این ترانزیستور در پکیج TO-220F قرار دارد، که به طور گسترده در مدارهای قدرت، مبدل‌های DC-DC، درایورهای موتورها، و منابع تغذیه سوئیچینگ استفاده می‌شود.
RJP30H2 TO220F
ترانزیستور RJP30H2 یک IGBT کانال N با عملکرد سوئیچینگ سریع است که توسط شرکت Renesas Electronics تولید شده و در بسته‌بندی TO-220F عرضه می‌شود. این قطعه برای کاربردهایی مانند منابع تغذیه سوئیچینگ، درایورهای موتور و سیستم‌های صنعتی طراحی شده است.
RJP30H2 TO220F
The IGBT is insulated-gate bipolar transistor.
This is one of the transistor types.
Part Number: RJP30H2A, RJP30H2DPK-M0
Manufacturer: Renesas, Panasonic
Package: TO220F Type
Function: N Channel IGBT, 360V, 35A
RJP30H2A TO-263
ترانزیستور RJP30H2A یک IGBT (ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق‌شده) کانال N با فناوری ترنچ و ویفر نازک است که توسط شرکت Renesas تولید می‌شود. این قطعه برای کاربردهایی مانند منابع تغذیه سوئیچینگ، درایورهای موتور و تقویت‌کننده‌های قدرت طراحی شده است.
RJP30Y2A TO220
RJP6055 TO-220F
RJP6055 (احتمالاً همان RJP6065 / RJP6055 تحت برند Renesas) یک تریستور IGBT کانال N با پکیج TO‑220F است.
RJP6055DPM (یا RJP6065A) یک IGBT با ولتاژ 600 V، جریان 40 A، صلب و سرعت بالا است، مناسب انواع کاربردهای قدرت و سوئیچینگ سنگین، در پکیج TO‑220F سازگار با هیت‌سینک.
RJP63G4 TO-220F
آی‌جی‌بی‌تی RJP63G4 یک ترانزیستور N‑channel IGBT است که توسط Renesas (و سابقاً Hitachi) تولید می‌شود و در پکیج TO‑220F عرضه می‌گردد. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ با توان بالا مانند منابع تغذیه و درایوهای موتور طراحی شده است.