OSPF10N65C 10N65C TO 220F
ترانزیستور OSPF10N65C یک ترانزیستور قدرت نوع MOSFET از خانواده N-Channel است که معمولاً در کاربردهای سوئیچینگ و تقویت توان استفاده میشود.
OSPF13N60C 13N60C TO-220F
کاربردها:
منابع تغذیه سوئیچینگ اینورترها کنترل موتور مدارهای کلیدزنی قدرت
OSPF15N60S 15N60 TO220F
ترانزیستور OSPF15N60S با پکیج TO-220F یک ترانزیستور MOSFET قدرت نوع N-channel است که معمولاً در منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)، درایور موتور، اینورترها، و مدارهای کنترل ولتاژ بالا استفاده میشود.
ترانزیستور OSPF15N60S در واقع همان مدل 15N60 است که بهصورت بستهبندی TO‑220F عرضه میشود و توسط تولیدکنندهای چینی ارائه شده است.
OSPF20N65C 20N65C TO-220F
کاربردها: درایورهای موتور، منابع تغذیه سوئیچینگ، مبدلهای DC-DC، اینورترها و سایر مدارهای توان بالا.
P0850ATF P0850 TO-220
ترانزیستور P0850ATF یک ماسفت (MOSFET) کانال N با حالت افزایش (Enhancement Mode) است که در بستهبندی TO-220F عرضه میشود. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ با ولتاژ بالا و جریان متوسط طراحی شده است.
P1504EDG TO252
P1504EDG P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID15m @VGS = -10V-45A-40V100% Rg tested100% UIS testedTO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40 VVGSGate-Source Voltage 20 VTA= 25 C-45IDContinuous Drain CurrentTA= 70
P2003EVG SOP-8
قطعه P2003EVG در پکیج SOP-8، یک ترانزیستور ماسفت دوگانه (Dual N-Channel MOSFET) با مشخصات قدرتی مناسب برای کاربردهای سوییچینگ و تغذیه است. این قطعه اغلب در مدارهای تغذیه، کنترل موتورها، و بارهای نیمهسنگین کاربرد دارد.
P3004ND5G TO-252-5
قطعه P3004ND5G در بستهبندی TO-252-5، یک ماسفت (MOSFET) قدرت N-Channel است که معمولاً در منابع تغذیه سوییچینگ، شارژرها، درایور موتور و سیستمهای مدیریت توان استفاده میشود.
P3506DD TO-252
مشخصات دقیق و جامع P3506DD (یک MOSFET کانال P در پکیج TO‑252) استخراجشده از دیتاشیت رسمی NIKO‑SEM / UNIKC را مرور میکنیم:
P4004ED TO-252
Type Designator: P4004ED
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: P -Channel
Maximum Power Dissipation: 30 W
| Maximum Drain-Source Voltage: 40 V
| Maximum Gate-Source Voltage: 20 V
| Maximum Gate-Threshold Voltage: 3 V
| Maximum Drain Current: 21 A
Maximum Junction Temperature: 150 °C
Total Gate Charge: 17 nC
– Rise Time: 16 nS
– Output Capacitance: 175 pF
– Maximum Drain-Source On-State Resistance: 0.04 Ohm
Package: TO252
P5506HVG SOP-8
آیسی P5506HVG یک قطعه نیمهرسانا از نوع ماسفت دوگانه (Dual N-Channel MOSFET) است که در پکیج SOP-8 عرضه میشود. این قطعه بهویژه برای کاربردهای سوئیچینگ ولتاژ بالا و توان متوسط طراحی شده است. در ادامه، توضیحات دقیقتری از این آیسی ارائه میشود:
P5806ND5G TO252-4L
P5806ND5G (P5806ND, P5806, TO-252-4L)
N-and P-Channel 60-V (D-S) MOSFE