TGAN60N60FD TGAN 60N60 TO-3PN
ترانزیستور TGAN60N60FD یک ترانزیستور قدرت نوع GaN FET (ترانزیستور اثر میدانی با نیمه‌هادی گالیوم نیترید) است. این نوع ترانزیستورها نسبت به MOSFETهای سیلیکونی رایج، دارای سرعت سوئیچینگ بالاتر، مقاومت در حالت روشن پایین‌تر، و بهره‌وری انرژی بسیار بهتر هستند.
UPA2713GR UPA2713 SOP-8
آی‌سی UPA2713GR یک ترانزیستور MOSFET قدرت نوع P-Channel است که توسط شرکت NEC (اکنون بخشی از Renesas Electronics) تولید می‌شود. این قطعه در پکیج SOP-8 عرضه شده و برای کاربردهای مدیریت توان در دستگاه‌هایی مانند لپ‌تاپ‌ها و مدارهای حفاظت باتری لیتیوم یون طراحی شده است.
W20NM60 STW20NM60TO-247
ترانزیستور W20NM60 (یا STW20NM60) یک MOSFET قدرتی N-Channel با ولتاژ بالا (600 ولت) و جریان بالا (20 آمپر) است که در بسیاری از کاربردهای الکترونیک قدرت و صنعتی مورد استفاده قرار می‌گیرد.
XPT9910 SOP16
XPT9910 یک درایور یا تقویت‌کننده تک‌کاناله که توسط شرکت XPT طراحی شده و در پکیج صنعتی SOP‑16 عرضه می‌شود
مشخصات الکتریکی کلیدی
ولتاژ کاری: 2.7 تا 5.5 ولت
جریان روانه (Quiescent Current): بسیار کم، حدود 1.5 mA
تاخیر انتقال (Propagation Delay): بسیار سریع، تنها حدود 2.5 نانوثانیه
YS2103DL YS2103 TO252-5
تراشه YS2103DL یک ترانزیستور MOSFET کانال N با بسته‌بندی TO-252-5 (معروف به DPAK-5) است. این قطعه برای سوئیچینگ توان بالا در مدارهای الکترونیکی طراحی شده و در منابع تغذیه سوئیچینگ، اینورترها و درایورهای موتور کاربرد دارد.
ZXMN6A08E6 6A8 SOT23-6
ترانزیستور ZXMN6A08E6 یک MOSFET کانال N با حالت افزایش (Enhancement Mode) است که توسط شرکت Diodes Incorporated تولید می‌شود. این ترانزیستور در بسته‌بندی SOT-23-6 عرضه می‌شود و برای کاربردهای سوئیچینگ با سرعت بالا و مدیریت توان در مدارهای فشرده طراحی شده است.