60R580P MMD60R580P TO252
ترانزیستور MMD60R580P یک ماسفت (MOSFET) قدرتی N-Channel با ولتاژ بالا است که توسط شرکت MagnaChip Semiconductor تولید شده و در بسته‌بندی TO-252 (DPAK) عرضه می‌شود. این ماسفت با استفاده از فناوری Super Junction طراحی شده است که مقاومت در حالت روشن پایین و شارژ گیت کم را فراهم می‌کند، که منجر به افزایش بهره‌وری و کاهش تلفات توان می‌شود.
101,000 تومان
10 در انبار
-
Official retailer
-
Quality guaranteed
-
Free delivery from $99
-
Free returns is available
توضیحات
مشخصات فنی کلیدی
-
نوع ترانزیستور: N-Channel Power MOSFET
-
ولتاژ شکست درین-سورس (V<sub>DS</sub>): 600 ولت
-
جریان درین مداوم (I<sub>D</sub>): 8 آمپر در دمای 25°C
-
مقاومت در حالت روشن (R<sub>DS(on)</sub>): حداکثر 0.58 اهم
-
شارژ گیت کل (Q<sub>g</sub>): 18 نانوکولن
-
ولتاژ گیت-سورس (V<sub>GS</sub>): ±30 ولت
-
توان تلفاتی کل (P<sub>D</sub>): 26 وات
-
دمای کاری: از -55 تا +150 درجه سانتی‌گراد
-
بسته‌بندی: TO-252 (DPAK)
-
ویژگی‌های اضافی:
-
تست آوالانچ 100٪
-
بسته‌بندی سبز – بدون سرب و هالوژن
-
طراحی برای کاهش EMI و تلفات سوئیچینگ
-
کاربردهای رایج
-
مراحل اصلاح ضریب توان (PFC) در منابع تغذیه
-
کاربردهای سوئیچینگ با فرکانس بالا
-
آداپتورها و شارژرهای AC-DC
-
کنترل موتورهای الکتریکی
-
مبدل‌های DC-DC
-
-
توضیحات تکمیلی
| کیفیت |
original |
|---|---|
| Package |
TO-252 |
برای ثبت نقد و بررسی وارد حساب کاربری خود شوید.
دیدگاهها
پاکسازی فیلترهیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.