AP 4957GM AP4957GM SOP8
AP4957GMPb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS -30VD2D2 Simple Drive Requirement RDS(ON) 24mD1D1 Dual P MOSFET Package ID -7.7AG2S2G1SO-8S1DescriptionD2D1The Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the b
41,000 تومان
1 در انبار
-
Official retailer
-
Quality guaranteed
-
Free delivery from $99
-
Free returns is available
توضیحات
AP 4957GM AP4957GM SOP8 IC CHIP
Type Designator: AP4957GM
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: P -Channel
Pdⓘ – Maximum Power Dissipation: 2 W
|Vds|ⓘ – Maximum Drain-Source Voltage: 30 V
|Vgs|ⓘ – Maximum Gate-Source Voltage: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ – Maximum Gate-Threshold Voltage: 3 V
|Id|ⓘ – Maximum Drain Current: 7.7 A
Tjⓘ – Maximum Junction Temperature: 150 °C
Qgⓘ – Total Gate Charge: 27 nC
trⓘ – Rise Time: 11 nS
Cossⓘ – Output Capacitance: 530 pF
Rdsⓘ – Maximum Drain-Source On-State Resistance: 0.024 Ohm
Package: SO8
توضیحات تکمیلی
| Package |
SOP-8 |
|---|---|
| کیفیت |
original |
برای ثبت نقد و بررسی وارد حساب کاربری خود شوید.
دیدگاهها
پاکسازی فیلترهیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.