AP 4957GM AP4957GM SOP8
AP4957GMPb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS -30VD2D2 Simple Drive Requirement RDS(ON) 24mD1D1 Dual P MOSFET Package ID -7.7AG2S2G1SO-8S1DescriptionD2D1The Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the b
54,000 تومان
1 در انبار
-
Official retailer
-
Quality guaranteed
-
Free delivery from $99
-
Free returns is available
توضیحات
AP 4957GM AP4957GM SOP8
Type Designator: AP4957GMType of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: P -Channel
Maximum Power Dissipation: 2 W
|Maximum Drain-Source Voltage: 30 V
| Maximum Gate-Source Voltage: 20 V
|Maximum Gate-Threshold Voltage: 3 V
| Maximum Drain Current: 7.7 A
Maximum Junction Temperature: 150 °C
Total Gate Charge: 27 nC
Rise Time: 11 nS
Output Capacitance: 530 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance: 0.024 Ohm
Package: SO8
توضیحات تکمیلی
| Package |
SOP-8 |
|---|---|
| کیفیت |
original |
برای ثبت نقد و بررسی وارد حساب کاربری خود شوید.
دیدگاهها
پاکسازی فیلترهیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.