AP4957AGM 4957AGM SOP8
AP4957AGM 4957AGM SOP8
Type Designator: AP4957AGM
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: P -Channel
Pdⓘ – Maximum Power Dissipation: 2 W
|Vds|ⓘ – Maximum Drain-Source Voltage: 30 V
|Vgs|ⓘ – Maximum Gate-Source Voltage: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ – Maximum Gate-Threshold Voltage: 3 V
|Id|ⓘ – Maximum Drain Current: 7.4 A
Tjⓘ – Maximum Junction Temperature: 150 °C
Qgⓘ – Total Gate Charge: 16 nC
trⓘ – Rise Time: 6.5 nS
Cossⓘ – Output Capacitance: 190 pF
Rdsⓘ – Maximum Drain-Source On-State Resistance: 0.026 Ohm
Package: SO8
45,200 تومان
1 در انبار
-
Official retailer
-
Quality guaranteed
-
Free delivery from $99
-
Free returns is available
توضیحات
AP4957AGM 4957AGM MOSFET SOP-8
AP4957AGMRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS -30VD2D2 Simple Drive Requirement RDS(ON) 26mD1D1 Dual P MOSFET Package ID -7.4AG2S2G1SO-8S1DescriptionD2D1Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized de
توضیحات تکمیلی
| کیفیت |
original |
|---|---|
| Package |
SOP-8 |
برای ثبت نقد و بررسی وارد حساب کاربری خود شوید.
دیدگاهها
پاکسازی فیلترهیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.