IRF8113 F8113 SOP8
IRF8113 F8113 SOP8
Type Designator: IRF8113
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation: 2.5 W
| Maximum Drain-Source Voltage: 30 V
| Maximum Gate-Source Voltage: 20 V
| Maximum Gate-Threshold Voltage: 2.2 V
| Maximum Drain Current: 17.2 A
– Maximum Junction Temperature: 150 °C
Total Gate Charge: 24 nC
Rise Time: 8.9 nS
Output Capacitance: 600 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance: 0.0056 Ohm
Package: SO8
75,500 تومان
1 در انبار
-
Official retailer
-
Quality guaranteed
-
Free delivery from $99
-
Free returns is available
توضیحات
IRF8113 F8113 SOP8
PD – 95138BIRF8113PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg Typ.l Synchronous MOSFET for Notebook5.6m
@VGS = 10V30V 24nCProcessor Powerl Synchronous Rectifier MOSFET forIsolated DC-DC Converters inNetworking SystemsAA1 8S
D2 7Benefits S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 3 6S Dl Low Gate Charge4 5G Dl Fully Characterized Avalanche Voltag
توضیحات تکمیلی
| Package |
SOP-8 |
|---|---|
| کیفیت |
original |
برای ثبت نقد و بررسی وارد حساب کاربری خود شوید.
دیدگاهها
پاکسازی فیلترهیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.