HIGH COPY
TGA25N120ND TO-3P
Applications :
Induction Heating, Soft switching application
TGA TGAN 25N120ND TO-3P TGA25N120ND TGAN25N120ND 25N120 TO3P 25A/1200V IGBT Transistor
127,000 تومان
30 در انبار
6
نفر در حال مشاهده این محصول هستند!
-
Official retailer
-
Quality guaranteed
-
Free delivery from $99
-
Free returns is available
توضیحات
Type Designator: TGAN25N120ND
Type: IGBT + Anti-Parallel Diode
Type of IGBT Channel: N
Maximum Power Dissipation: 312 W
Maximum Collector-Emitter Voltage: 1200 V
V Maximum Gate-Emitter Voltage: 20 V
Maximum Collector Current: 50 A @25
Collector-Emitter saturation Voltage, typ: 1.9 V @25
Maximum G-E Threshold Voltag: 7 V
Maximum Junction Temperature: 150
Rise Time, typ: 65 nS
Output Capacitance, typ: 105 pF
Total Gate Charge, typ: 230 nC
Package: TO-3PIN
توضیحات تکمیلی
| Package |
TO-3P |
|---|---|
| کیفیت |
HIGH COPY |
برای ثبت نقد و بررسی وارد حساب کاربری خود شوید.
دیدگاهها
پاکسازی فیلترهیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.