2SK4005-01MR k4005 TO-220
ترانزیستور 2SK4005-01MR یک MOSFET قدرت نوع N-Channel است که توسط شرکت‌هایی مانند Toshiba تولید شده و برای کاربردهای سوئیچینگ ولتاژ بالا به‌ویژه در منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) طراحی شده است.
2SK4075B K4075B TO252
نوع قطعه: MOSFET کانال N (N-Channel Power MOSFET)
این نوع ماسفت‌ها برای کلیدزنی (سوئیچینگ) سریع در مدارات قدرت طراحی شده‌اند. ویژگی‌های اصلی آن‌ها:
هدایت بالا در حالت روشن
تلفات پایین
مناسب برای مدارات ولتاژ بالا مثل منابع تغذیه سوئیچینگ، فلای‌بک و اینورتر
2SK4213 K4213 TO-252
ترانزیستور 2SK4213 (یا K4213) یک ترانزیستور MOSFET کانال N با ولتاژ و جریان بالا است که معمولاً در منابع تغذیه سوئیچینگ، درایور موتور، و تجهیزات قدرت استفاده می‌شود. بسته‌بندی آن در مدل مدنظر شما TO-252 (DPAK) است که یک نوع SMD است.
30F133 GT30F133 TO252
تراشه‌ی GT30F133 یا 30F133 یک ترانزیستور IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ساخت شرکت Toshiba است که در بسته‌بندی SMD نوع TO-252 عرضه می‌شود. این قطعه برای کاربردهای سوییچینگ قدرت مانند اینورترها، منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) و درایورهای موتور طراحی شده است
30F133=rjp30h1=FGD4536 TO252
3120KM SMD TO-252
رگولاتور SI3120KM در بسته‌بندی TO-252-5pin یک رگولاتور خطی Low Dropout (LDO) با خروجی ثابت ۱۲ ولت و جریان حداکثر حدود ۱ آمپر است.
3BR1565JF TO220-6
3BR1565JF
یک کنترلر حالت جریان یکپارچه (Integrated Current Mode Controller) از شرکت اینفینئون (Infineon) است که برای استفاده در منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) طراحی شده است.
4511GH AP4511GH TO252-4
AP4511GH RoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 30m Fast Switching Performance ID 15AS1G1P-CH BVDSS -35VS2G2RDS(ON) 48mTO-252-4LDescription ID -12AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theD1D2designer with
4513GH TO-252-4L
تراشه AP4513GH یک MOSFET دوگانه نوع N و P با حالت تقویت‌شده است این تراشه در بسته‌بندی TO-252-4L ارائه می‌شود و برای کاربردهای سوئیچینگ و توان بالا طراحی شده است.
45F122 GT45F122 TO-220F
ترانزیستور GT45F122 (همچنین با نام 45F122 شناخته می‌شود) یک ترانزیستور IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) با عملکرد بالا است که توسط شرکت Toshiba تولید شده و در بسته‌بندی TO-220F عرضه می‌شود. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ قدرت بالا طراحی شده است.
50N06-FQP50N06 TO220
ترانزیستور FQP50N06 یک MOSFET کانال N با توان بالا و بسته‌بندی TO-220 است این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ توان بالا مانند منابع تغذیه سوئیچینگ، کنترل موتورهای DC و تقویت‌کننده‌های صوتی مناسب است
5N52U STF5N52U TO-220
ترانزیستور STF5N52U یک ماسفت (MOSFET) قدرت N-Channel با ولتاژ بالا است که توسط شرکت STMicroelectronics تولید شده و در بسته‌بندی TO-220FP عرضه می‌شود. این ماسفت با استفاده از فناوری UltraFASTmesh™ طراحی شده است که ترکیبی از مقاومت در حالت روشن پایین، حفاظت گیت زنری و قابلیت dv/dt بسیار بالا را فراهم می‌کند
60R580P MMD60R580P TO252
ترانزیستور MMD60R580P یک ماسفت (MOSFET) قدرتی N-Channel با ولتاژ بالا است که توسط شرکت MagnaChip Semiconductor تولید شده و در بسته‌بندی TO-252 (DPAK) عرضه می‌شود. این ماسفت با استفاده از فناوری Super Junction طراحی شده است که مقاومت در حالت روشن پایین و شارژ گیت کم را فراهم می‌کند، که منجر به افزایش بهره‌وری و کاهش تلفات توان می‌شود.