2N60 TO-220F
2N60 TO-220F یک ترانزیستور MOSFET نوع N قدرت است که در بستهبندی TO-220F عرضه میشود.
2SK2717 K2717 TO220F
2SK2717 یک ترانزیستور MOSFET نوع N-Channel قدرت است که در بستهبندی TO-220F عرضه میشود. این MOSFET برای کاربردهای سوئیچینگ با ولتاژ و جریان متوسط تا بالا طراحی شده است.
2SK3673-01MR TO220F
2SK3673-01MR یک ترانزیستور MOSFET نوع N-Channel قدرت است که توسط شرکتهای ژاپنی مانند Renesas یا NEC تولید شده و در بستهبندی TO-220F (تماماً ایزوله) عرضه میشود. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ در منابع تغذیه و بارهای القایی طراحی شده است.
2SK4005-01MR k4005 TO-220
ترانزیستور 2SK4005-01MR یک MOSFET قدرت نوع N-Channel است که توسط شرکتهایی مانند Toshiba تولید شده و برای کاربردهای سوئیچینگ ولتاژ بالا بهویژه در منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) طراحی شده است.
3BR1565JF TO220-6
3BR1565JF
یک کنترلر حالت جریان یکپارچه (Integrated Current Mode Controller) از شرکت اینفینئون (Infineon) است که برای استفاده در منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) طراحی شده است.
45F122 GT45F122 TO-220F
ترانزیستور GT45F122 (همچنین با نام 45F122 شناخته میشود) یک ترانزیستور IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) با عملکرد بالا است که توسط شرکت Toshiba تولید شده و در بستهبندی TO-220F عرضه میشود. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ قدرت بالا طراحی شده است.
50N06-FQP50N06 TO220
ترانزیستور FQP50N06 یک MOSFET کانال N با توان بالا و بستهبندی TO-220 است این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ توان بالا مانند منابع تغذیه سوئیچینگ، کنترل موتورهای DC و تقویتکنندههای صوتی مناسب است
5N52U STF5N52U TO-220
ترانزیستور STF5N52U یک ماسفت (MOSFET) قدرت N-Channel با ولتاژ بالا است که توسط شرکت STMicroelectronics تولید شده و در بستهبندی TO-220FP عرضه میشود. این ماسفت با استفاده از فناوری UltraFASTmesh™ طراحی شده است که ترکیبی از مقاومت در حالت روشن پایین، حفاظت گیت زنری و قابلیت dv/dt بسیار بالا را فراهم میکند
60R580P MMF60R580P TO220
ترانزیستور MMF60R580P یک ماسفت (MOSFET) قدرتی N-Channel با ولتاژ بالا است که توسط شرکت MagnaChip Semiconductor تولید شده و در بستهبندی TO-220F عرضه میشود. این ماسفت با استفاده از فناوری Super Junction طراحی شده است که مقاومت در حالت روشن پایین و شارژ گیت کم را فراهم میکند، که منجر به افزایش بهرهوری و کاهش تلفات توان میشود.
6R385P IPP6R385P T TO-220F
6R385P TO-220F
The IPA60R380P6 is MOSFET N-Ch 600V 6.5A TO220FP-3, that includes 600 V Vds Drain Source Breakdown Voltage, they are designed to operate with a 0.211644 oz Unit Weight, Transistor Type is shown on datasheet note for use in a 1 N-Channel, that offers Transistor Polarity features such as N-Channel, Technology is designed to work in Si, as well as the XPA60R330 Series, the device can also be used as 380 Ohms Rds On Drain Source Resistance. In addition, the Part Aliases is IPA60R380P6XKSA1 SP001017072, the device is offered in Tube Packaging, the device has a TO-220-3 of Package Case, and Number of Channels is 1 Channel, and the Mounting Style is Through Hole, and Id Continuous Drain Current is 150 A.
6R600P TO-220
ترانزیستور 6R600P یک MOSFET کانال N با ولتاژ بالا و بستهبندی TO-220F است که توسط شرکتهایی مانند VBsemi Electronics و Infineon Technologies تولید میشود. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ با توان متوسط تا بالا، بهویژه در منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) و اصلاح ضریب توان (PFC)، مناسب است.
9D5N20P TO220
ترانزیستور 9D5N20P یک MOSFET کانال N با ولتاژ شکست 200 ولت و جریان درین 9.5 آمپر است که در بستهبندی TO-220AB عرضه میشود. این قطعه توسط شرکت KHB تولید شده و برای کاربردهایی مانند منابع تغذیه سوئیچینگ و بالاستهای الکترونیکی مناسب است