RJP30H2 TO220F
ترانزیستور RJP30H2 یک IGBT کانال N با عملکرد سوئیچینگ سریع است که توسط شرکت Renesas Electronics تولید شده و در بسته‌بندی TO-220F عرضه می‌شود. این قطعه برای کاربردهایی مانند منابع تغذیه سوئیچینگ، درایورهای موتور و سیستم‌های صنعتی طراحی شده است.
RJP30H2 TO220F
The IGBT is insulated-gate bipolar transistor.
This is one of the transistor types.
Part Number: RJP30H2A, RJP30H2DPK-M0
Manufacturer: Renesas, Panasonic
Package: TO220F Type
Function: N Channel IGBT, 360V, 35A
RJP30H2A TO-263
ترانزیستور RJP30H2A یک IGBT (ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق‌شده) کانال N با فناوری ترنچ و ویفر نازک است که توسط شرکت Renesas تولید می‌شود. این قطعه برای کاربردهایی مانند منابع تغذیه سوئیچینگ، درایورهای موتور و تقویت‌کننده‌های قدرت طراحی شده است.
RJP63G4 TO-220F
آی‌جی‌بی‌تی RJP63G4 یک ترانزیستور N‑channel IGBT است که توسط Renesas (و سابقاً Hitachi) تولید می‌شود و در پکیج TO‑220F عرضه می‌گردد. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ با توان بالا مانند منابع تغذیه و درایوهای موتور طراحی شده است.
RJP63K2 TO-263
ترانزیستور RJP63K2 یک IGBT (ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق‌شده) کانال N با سرعت سوئیچینگ بالا است که توسط شرکت Renesas Technology تولید می‌شود. این قطعه برای کاربردهایی مانند منابع تغذیه سوئیچینگ، درایورهای موتور و تقویت‌کننده‌های قدرت طراحی شده است.
RT8105 SOP8
تراشه RT8105 در بسته‌بندی SOP-8 یکی از رگولاتورهای ولتاژ یا آی‌سی‌های مربوط به مدیریت توان است که معمولاً در کاربردهای الکترونیکی برای تامین ولتاژ ثابت استفاده می‌شود.
SI4410DY 4410 SOP8
ترانزیستور SI4410DY یک ماسفت (MOSFET) کانال N با ولتاژ کاری ۳۰ ولت است که در بسته‌بندی SO-8 عرضه می‌شود. این قطعه با استفاده از فناوری TrenchFET طراحی شده است تا مقاومت در حالت روشن (R<sub>DS(on)</sub>) را به حداقل برساند و عملکردی با راندمان بالا ارائه دهد.
SI4634 4634 SOP-8
آی‌سی SI4634DY یک ترانزیستور MOSFET کانال N با ولتاژ شکست ۳۰ ولت است که توسط شرکت Vishay Siliconix تولید می‌شود. این قطعه در بسته‌بندی SOP-8 (یا SOIC-8) عرضه می‌شود و برای کاربردهای سوئیچینگ با جریان بالا و مقاومت پایین طراحی شده است.
SI4835 4835D SOP8
آی‌سی SI4835DY یک ترانزیستور MOSFET کانال P با ولتاژ شکست ۳۰ ولت است که توسط شرکت Vishay Siliconix تولید می‌شود. این قطعه در بسته‌بندی SOP-8 (یا SOIC-8) عرضه می‌شود و برای کاربردهای سوئیچینگ با جریان بالا و مقاومت پایین طراحی شده است.
SM1F02N TO252
قطعه SM1F02N با پکیج TO-252، یک ماسفت قدرت N-کانال (N-Channel Power MOSFET) است. این نوع ماسفت‌ها معمولاً در کاربردهای کلیدزنی (switching) و منابع تغذیه استفاده می‌شوند.
SM3106NSU К-252
ترانزیستور SM3106NSU یک MOSFET کانال N با عملکرد تقویت‌کننده (Enhancement Mode) است که توسط شرکت Sinopower تولید می‌شود. این قطعه در پکیج SMD نوع TO-252 (معادل К-252) عرضه می‌گردد و برای کاربردهای قدرت بالا مانند منابع تغذیه، مبدل‌های DC-DC، UPS و شارژرهای باتری مناسب است
این MOSFET دارای مقاومت پایین در حالت روشن و سرعت سوئیچینگ بالا است که آن را برای کاربردهای نیازمند به راندمان بالا و تلفات کم مناسب می‌سازد.
SM3106NSU К-252 COPY
ترانزیستور SM3106NSU یک MOSFET کانال N با عملکرد تقویت‌کننده (Enhancement Mode) است این قطعه در پکیج SMD نوع TO-252 (معادل К-252) عرضه می‌گردد و برای کاربردهای قدرت بالا مانند منابع تغذیه، مبدل‌های DC-DC، UPS و شارژرهای باتری مناسب است.
این MOSFET دارای مقاومت پایین در حالت روشن و سرعت سوئیچینگ بالا است که آن را برای کاربردهای نیازمند به راندمان بالا و تلفات کم مناسب می‌سازد.