30F133 GT30F133 TO252
تراشهی GT30F133 یا 30F133 یک ترانزیستور IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ساخت شرکت Toshiba است که در بستهبندی SMD نوع TO-252 عرضه میشود. این قطعه برای کاربردهای سوییچینگ قدرت مانند اینورترها، منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) و درایورهای موتور طراحی شده است
30F133=rjp30h1=FGD4536 TO252
4513GH TO-252-4L
تراشه AP4513GH یک MOSFET دوگانه نوع N و P با حالت تقویتشده است این تراشه در بستهبندی TO-252-4L ارائه میشود و برای کاربردهای سوئیچینگ و توان بالا طراحی شده است.
45F122 GT45F122 TO-220F
ترانزیستور GT45F122 (همچنین با نام 45F122 شناخته میشود) یک ترانزیستور IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) با عملکرد بالا است که توسط شرکت Toshiba تولید شده و در بستهبندی TO-220F عرضه میشود. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ قدرت بالا طراحی شده است.
4820N NTMD4820N SOP-8
آیسی NTMD4820N یک ماسفت (MOSFET) دوگانه N-Channel با بستهبندی SOIC-8 است این قطعه برای کاربردهای توان پایین تا متوسط طراحی شده و به دلیل ویژگیهای خاص خود، در مدارهای سوئیچینگ با راندمان بالا مورد استفاده قرار میگیرد.
4914B SOP8 IC
آیسی با شماره مدل 4914B در بستهبندی SOP-8 ممکن است به چند قطعه مختلف اشاره داشته باشد. برای شناسایی دقیقتر، در ادامه به دو قطعهای که بیشترین شباهت به این شماره دارند، اشاره میکنم:
50N06-FQP50N06 TO220
ترانزیستور FQP50N06 یک MOSFET کانال N با توان بالا و بستهبندی TO-220 است این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ توان بالا مانند منابع تغذیه سوئیچینگ، کنترل موتورهای DC و تقویتکنندههای صوتی مناسب است
5N52U STF5N52U TO-220
ترانزیستور STF5N52U یک ماسفت (MOSFET) قدرت N-Channel با ولتاژ بالا است که توسط شرکت STMicroelectronics تولید شده و در بستهبندی TO-220FP عرضه میشود. این ماسفت با استفاده از فناوری UltraFASTmesh™ طراحی شده است که ترکیبی از مقاومت در حالت روشن پایین، حفاظت گیت زنری و قابلیت dv/dt بسیار بالا را فراهم میکند
60R580P MMD60R580P TO252
ترانزیستور MMD60R580P یک ماسفت (MOSFET) قدرتی N-Channel با ولتاژ بالا است که توسط شرکت MagnaChip Semiconductor تولید شده و در بستهبندی TO-252 (DPAK) عرضه میشود. این ماسفت با استفاده از فناوری Super Junction طراحی شده است که مقاومت در حالت روشن پایین و شارژ گیت کم را فراهم میکند، که منجر به افزایش بهرهوری و کاهش تلفات توان میشود.
60R580P MMF60R580P TO220
ترانزیستور MMF60R580P یک ماسفت (MOSFET) قدرتی N-Channel با ولتاژ بالا است که توسط شرکت MagnaChip Semiconductor تولید شده و در بستهبندی TO-220F عرضه میشود. این ماسفت با استفاده از فناوری Super Junction طراحی شده است که مقاومت در حالت روشن پایین و شارژ گیت کم را فراهم میکند، که منجر به افزایش بهرهوری و کاهش تلفات توان میشود.
60T03GH TO252
ماسفت 60T03GH با پکیج TO-252 به دلیل ویژگیهای قدرتی خوب (جریان بالا، مقاومت روشن پایین و سرعت سوئیچ بالا)، در بسیاری از کاربردهای الکترونیکی و صنعتی استفاده میشود.
6900GSM AP6900GSM SOP-8
آیسی 6900GSM یک ماسفت قدرتی دو کاناله (Dual N-Channel MOSFET) با دیود شاتکی داخلی است که در بستهبندی SOP-8 عرضه میشود. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ با توان متوسط طراحی شده و در منابع تغذیه سوئیچینگ، مبدلهای DC-DC، و مدارهای کنترل موتور بهکار میرود
6R385P IPP6R385P T TO-220F
6R385P TO-220F
The IPA60R380P6 is MOSFET N-Ch 600V 6.5A TO220FP-3, that includes 600 V Vds Drain Source Breakdown Voltage, they are designed to operate with a 0.211644 oz Unit Weight, Transistor Type is shown on datasheet note for use in a 1 N-Channel, that offers Transistor Polarity features such as N-Channel, Technology is designed to work in Si, as well as the XPA60R330 Series, the device can also be used as 380 Ohms Rds On Drain Source Resistance. In addition, the Part Aliases is IPA60R380P6XKSA1 SP001017072, the device is offered in Tube Packaging, the device has a TO-220-3 of Package Case, and Number of Channels is 1 Channel, and the Mounting Style is Through Hole, and Id Continuous Drain Current is 150 A.