50N06-FQP50N06 TO220
ترانزیستور FQP50N06 یک MOSFET کانال N با توان بالا و بستهبندی TO-220 است این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ توان بالا مانند منابع تغذیه سوئیچینگ، کنترل موتورهای DC و تقویتکنندههای صوتی مناسب است
5N52U STF5N52U TO-220
ترانزیستور STF5N52U یک ماسفت (MOSFET) قدرت N-Channel با ولتاژ بالا است که توسط شرکت STMicroelectronics تولید شده و در بستهبندی TO-220FP عرضه میشود. این ماسفت با استفاده از فناوری UltraFASTmesh™ طراحی شده است که ترکیبی از مقاومت در حالت روشن پایین، حفاظت گیت زنری و قابلیت dv/dt بسیار بالا را فراهم میکند
60R580P MMD60R580P TO252
ترانزیستور MMD60R580P یک ماسفت (MOSFET) قدرتی N-Channel با ولتاژ بالا است که توسط شرکت MagnaChip Semiconductor تولید شده و در بستهبندی TO-252 (DPAK) عرضه میشود. این ماسفت با استفاده از فناوری Super Junction طراحی شده است که مقاومت در حالت روشن پایین و شارژ گیت کم را فراهم میکند، که منجر به افزایش بهرهوری و کاهش تلفات توان میشود.
60R580P MMF60R580P TO220
ترانزیستور MMF60R580P یک ماسفت (MOSFET) قدرتی N-Channel با ولتاژ بالا است که توسط شرکت MagnaChip Semiconductor تولید شده و در بستهبندی TO-220F عرضه میشود. این ماسفت با استفاده از فناوری Super Junction طراحی شده است که مقاومت در حالت روشن پایین و شارژ گیت کم را فراهم میکند، که منجر به افزایش بهرهوری و کاهش تلفات توان میشود.
60T03GH TO252
ماسفت 60T03GH با پکیج TO-252 به دلیل ویژگیهای قدرتی خوب (جریان بالا، مقاومت روشن پایین و سرعت سوئیچ بالا)، در بسیاری از کاربردهای الکترونیکی و صنعتی استفاده میشود.
6900GSM AP6900GSM SOP-8
آیسی 6900GSM یک ماسفت قدرتی دو کاناله (Dual N-Channel MOSFET) با دیود شاتکی داخلی است که در بستهبندی SOP-8 عرضه میشود. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ با توان متوسط طراحی شده و در منابع تغذیه سوئیچینگ، مبدلهای DC-DC، و مدارهای کنترل موتور بهکار میرود
6R385P IPP6R385P T TO-220F
6R385P TO-220F
The IPA60R380P6 is MOSFET N-Ch 600V 6.5A TO220FP-3, that includes 600 V Vds Drain Source Breakdown Voltage, they are designed to operate with a 0.211644 oz Unit Weight, Transistor Type is shown on datasheet note for use in a 1 N-Channel, that offers Transistor Polarity features such as N-Channel, Technology is designed to work in Si, as well as the XPA60R330 Series, the device can also be used as 380 Ohms Rds On Drain Source Resistance. In addition, the Part Aliases is IPA60R380P6XKSA1 SP001017072, the device is offered in Tube Packaging, the device has a TO-220-3 of Package Case, and Number of Channels is 1 Channel, and the Mounting Style is Through Hole, and Id Continuous Drain Current is 150 A.
6R600P TO-220
ترانزیستور 6R600P یک MOSFET کانال N با ولتاژ بالا و بستهبندی TO-220F است که توسط شرکتهایی مانند VBsemi Electronics و Infineon Technologies تولید میشود. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ با توان متوسط تا بالا، بهویژه در منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) و اصلاح ضریب توان (PFC)، مناسب است.
85U03GH AP85U03GH TO-252
AP85U03GH یک ترانزیستور MOSFET کانال N با حالت افزایش (Enhancement Mode) است که توسط شرکت Advanced Power Electronics Corp. (APEC) تولید شده و در بستهبندی TO-252 (DPAK) عرضه میشود. این ترانزیستور برای کاربردهایی با جریان بالا و ولتاژ پایین، مانند مبدلهای DC-DC، منابع تغذیه سوئیچینگ و کنترل موتور طراحی شده است.
88N30W TO-3P
ترانزیستور 88N30W یک MOSFET کانال N با حالت افزایش (Enhancement Mode) است در بستهبندی TO-3P عرضه میشود. این ترانزیستور برای کاربردهایی با توان بالا مانند منابع تغذیه سوئیچینگ، درایورهای موتور و مبدلهای DC-DC طراحی شده است.
9D5N20P TO220
ترانزیستور 9D5N20P یک MOSFET کانال N با ولتاژ شکست 200 ولت و جریان درین 9.5 آمپر است که در بستهبندی TO-220AB عرضه میشود. این قطعه توسط شرکت KHB تولید شده و برای کاربردهایی مانند منابع تغذیه سوئیچینگ و بالاستهای الکترونیکی مناسب است
ADP3110AKCPZ LE3
آیسی ADP3110AKCPZ یک درایور گیت MOSFET دوگانه با ولتاژ ۱۲ ولت است که توسط شرکت onsemi طراحی و تولید شده است. این آیسی برای راهاندازی MOSFETهای N-Channel در توپولوژیهای مبدل باک سنکرون (Synchronous Buck Converter) بهویژه در منابع تغذیه پردازندههای چندفازی (Multiphase CPU Supplies) بهینهسازی شده است