GT60N321 60N321 TO-247

توضیحات

مشخصات کلیدی GT60N321 (بر اساس دیتاشیت)
نوع: IGBT سیلیکونی N‑Channel (نسل چهارم)، با دیود موازی داخلی (FRD)

بسته‌بندی: TO‑3PL

ولتاژ کلکتور–امیتر (VCES): ۱۰۰۰ V (حداکثر مطلق)

ولتاژ گیت–امیتر (VGES): ±25 V

جریان و توان

جریان کلکتور پیوسته (IC): 60 A @25 °C

جریان پالس: 120 A (1 ms)

توان تلف‌شده: 170 W (در دمای کیس 25 °C)

زمان‌های سوئیچینگ (IC = 60 A)
زمان بالا آمدن (tr): ≈ 0.23 µs

زمان روشن شدن (ton): ≈ 0.33 µs

زمان خاموش شدن (toff): ≈ 0.70 µs

زمان سقوط (tf): ≈ 0.25 µs

چرا GT60N321؟

وِیژگی ولتاژ کاری بالا (۱۰۰۰ V) برای کاربردهایی مانند اینورترهای ولتاژ بالا و تجهیزات HV.

زمان‌های سوئیچینگ سریع با توانایی کنترل جریان بالا و افت ولتاژ نسبتاً پایین (~2.3 V)، مناسب برای کاربردهای صنعتی با فرکانس متوسط.

دیود داخلی مناسب برای مدارهای با قابلیت برگشت جریان (مثل پل‌های H یا ZVS).

کاربردهای رایج

1. اینورترهای ولتاژ بالا (برای صنعتی و انتقال انرژی – تا 600–800 V DC link)

2. UPS – بخش‌های اینورتر ولتاژ بالا

3. شارژرهای سریع باتری HV (برای EV، تجهیزات صنعتی)

4. درایوهای موتور سه‌فاز (VFD) در ولتاژ بالا

5. منابع تغذیه صنعتی SMPS مانند لیزر، جوش و تست

6. جوشکاری اینورتر – کنترل جریان بالا

7. مدارهای PFC و انرژی تجدیدپذیر مانند مبدل‌های خورشیدی

8. الکتروترانسپورت و سیستم‌های کششی (ریل و مترو)