IPW6R190E6 6R190E6 TO247
IPW60R190E6 Infineon MOSFET CoolMOS
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPW60R190E6IIPW60R190E6FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)190mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-So
186,300 تومان
1 در انبار
-
Official retailer
-
Quality guaranteed
-
Free delivery from $99
-
Free returns is available
توضیحات
IPW60R190E6 Infineon MOSFET CoolMOS™ 600V 20,2A 151W 0,19R 6R
Type Designator: IPW60R190E6
Marking Code: 6R190E6 Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation: 151 W | Maximum Drain-Source Voltage: 600 V
| Maximum Gate-Source Voltage: 20 V | Maximum Gate-Threshold Voltage: 3.5 V
|Maximum Drain Current: 20.2 A
Maximum Junction Temperature: 150 °C
Total Gate Charge: 63 nC
Rise Time: 10 nS
Output Capacitance: 85 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance: 0.19 Ohm
Package: TO-247
توضیحات تکمیلی
| Package |
TO-247 |
|---|---|
| کیفیت |
HIGH COPY |
برای ثبت نقد و بررسی وارد حساب کاربری خود شوید.
دیدگاهها
پاکسازی فیلترهیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.