P8010BD TO-252
Type Designator: P8010BD
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation: 46 W
|Maximum Drain-Source Voltage: 100 V
| Maximum Gate-Source Voltage: 20 V
| Maximum Gate-Threshold Voltage: 2.3 V
| Maximum Drain Current: 15 A
Maximum Junction Temperature: 150 °C
Total Gate Charge: 18.5 nC
Rise Time: 48 nS
Output Capacitance: 68 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance: 0.085 Ohm
Package: TO-252
81,000 تومان
1 در انبار
-
Official retailer
-
Quality guaranteed
-
Free delivery from $99
-
Free returns is available
توضیحات
P8010BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID85m @VGS = 10V100V 15ATO-
252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS
UNITSVDSDrain-Source Voltage 100 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C15IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C9AIDM35Pulsed Drain Current
توضیحات تکمیلی
| Package |
TO-252 |
|---|---|
| کیفیت |
original |
برای ثبت نقد و بررسی وارد حساب کاربری خود شوید.
دیدگاهها
پاکسازی فیلترهیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.