QM3016D M3016D TO-252
تراشه QM3016D یا M3016D در بسته‌بندی TO-252 یک ماسفت (MOSFET) نوع N-channel با مشخصات زیر است:
R23MF1 DIP7
تراشه‌ی R23MF1 یا PR23MF1S یک رله حالت جامد (SSR) در بسته‌بندی DIP-7 است که توسط شرکت Sharp تولید شده است
مشخصات فنی (حدودی)
| پارامتر | مقدار | توضیحات |
|---|---|---|
| ولتاژ ورودی LED (VF) | حدود 1.2 – 1.4 ولت | جریان ورودی معمولی حدود 10-20mA |
| جریان ورودی LED (IF) | 10 – 20 میلی‌آمپر | جهت فعال‌سازی تراشه |
| ولتاژ بار خروجی (VDRM) | تا 400VAC (برخی منابع تا 440VAC) | حداکثر ولتاژ تحمل بار AC |
R2A20133DSP 0133 SOP8
نام کامل: Renesas R2A20133DSP (همچنین با کد 0133 روی بدنه مشخص می‌شود)
نوع محصول: کنترلر Power Factor Correction (PFC) در حالت Critical Conduction Mode (CRM) برای استفاده در سوپلایرهای بوست‌کانورتر
بسته‌بندی: SOP‑8 (سطح‌نشین، ۸ پین) مطابق با استاندارد JEDEC .
تولیدکننده: Renesas (قطعه فعال و در زمره محصولات جدید این شرکت قرار دارد)
R3BMF5 DIP-7
آی‌سی R3BMF5 در پکیج DIP-7 یک رگولاتور خطی ولتاژ ۵ ولت است و کاربرد اصلی آن تأمین یک ولتاژ ثابت و پایدار 5V در مدارهای مختلف الکترونیکی است. این نوع آی‌سی معمولاً در جاهایی استفاده می‌شود که نیاز به پایداری، نویز کم، و سهولت طراحی وجود دارد
RDA 5815 RDA5815 QFN32
تراشه RDA5815 با بسته‌بندی QFN-32 یک گیرنده‌ی RF-to-baseband کاملاً مجتمع است که برای دریافت سیگنال‌های دیجیتال ماهواره‌ای طراحی شده و در دستگاه‌هایی مانند ستاپ‌باکس‌ها، گیرنده‌های DVB-S/S2 و ضبط‌کننده‌های ویدیویی دیجیتال (DVR) کاربرد دارد.
RDA5815M QFN 20
تراشه RDA5815M با بسته‌بندی QFN-20 یک گیرنده‌ی RF-to-baseband کاملاً مجتمع است که برای دریافت سیگنال‌های دیجیتال ماهواره‌ای طراحی شده و در دستگاه‌هایی مانند ستاپ‌باکس‌ها، گیرنده‌های DVB-S/S2 و ضبط‌کننده‌های ویدیویی دیجیتال (DVR) کاربرد دارد.
RDA5815S QFN24
تراشه RDA5815S با بسته‌بندی QFN-24 یک گیرنده‌ی RF-to-baseband کاملاً مجتمع است که برای دریافت سیگنال‌های دیجیتال ماهواره‌ای طراحی شده و در دستگاه‌هایی مانند ستاپ‌باکس‌ها، گیرنده‌های DVB-S/S2 و ضبط‌کننده‌های ویدیویی دیجیتال (DVR) کاربرد دارد.
RDA5880 QFN32 PIN
تراشه RDA5880 با بسته‌بندی QFN-32 یک آی‌سی ارتباطی بی‌سیم است که برای کاربردهای مختلفی مانند ارتباطات بی‌سیم، اینترنت اشیاء (IoT) و سیستم‌های جاسازی‌شده طراحی شده است.
RF1501TF3S TO-220
دیود RF1501TF3S یک دیود بازیابی سریع (Fast Recovery Diode) با کارایی بالا است که توسط شرکت ROHM Semiconductor تولید می‌شود. این دیود برای کاربردهایی که نیاز به سرعت سوئیچینگ بالا و کاهش تلفات دارند، مانند منابع تغذیه سوئیچینگ، طراحی شده است.
RF2001T3D RF2001 TO-220F
RF2001T3D یک دیود Fast Recovery یا دیود بازیابی سریع است که توسط شرکت‌های مختلف (مثلاً ROHM Semiconductor) تولید می‌شود. این دیود در بسته‌بندی TO-220F عرضه شده و دارای دو دیود داخلی با کاتد مشترک است.
جمع‌بندی:
RF2001T3D یک دیود Fast Recovery دوگانه است که مناسب کاربردهای توان بالا و سوئیچینگ سریع می‌باشد. این قطعه ترانزیستور نیست و به‌عنوان یک قطعه کلیدی در مدارهای کنترل توان و منابع تغذیه استفاده می‌شود.
RFU20TM5S TO-220F
RFU20TM5S از خانواده Super Fast Recovery Diode شرکت ROHM است که در بسته TO‑220FN با پایه‌های سوراخ‌دار طراحی شده است. این دیود دارای ساختار سیلیکون اپیتاکسیال پلنار و مجهز به کاتد مشترک (Common Cathode) می‌باشد
RJK0305DPB-02 TO-252
برای تراشه RJK0305DPB (یا K0305) در پکیج TO‑252 (LFPAK)، دیتاشیت رسمی از Renesas مشخصاتی بسیار دقیق ارائه می‌دهد:
این MOSFET با مشخصات بالا برای کاربردهایی چون سوئیچینگ سریع، منابع تغذیه DC-DC، درایو موتور و کاربردهای توان متوسط مناسب است.