MJL21195+ MJL21196 TO 247
ترانزیستورهای MJL21195 و MJL21196 یک جفت مکمل NPN و PNP با توان بالا هستند که اغلب در مدارات تقویتکننده صوتی کلاس AB یا کلاس B استفاده میشوند. این قطعات ساخت شرکت ON Semiconductor هستند و در پکیج TO-247 عرضه میشوند.
OSG65R038HZ TO-247
OSG65R038HZ یک ترانزیستور MOSFET نوع N-Channel با راندمان بسیار بالا و مقاومت در حالت روشن بسیار پایین است. این قطعه در بستهبندی TO-247 ارائه میشود و برای کاربردهای قدرت بالا مانند اینورترها و منابع تغذیه صنعتی مناسب است.
RJK5010 TO-3P
RJK5010 (با پکیج فلزی TO‑3P) همان مدل IRFP460 است – یک MOSFET N‑Channel قدرتمند با مشخصات توان بالا
RJK5020 RJK5020DPKTO-3P
ترانزیستور RJK5020DPK یک MOSFET کانال N از نوع Enhancement Mode است که توسط شرکت Renesas Electronics تولید شده و در بستهبندی TO-3P عرضه میشود. این قطعه برای سوئیچینگ توان بالا در کاربردهایی مانند منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)، درایورهای موتور و سیستمهای صنعتی طراحی شده است.
RJP2557 TO-3P
تراشه RJP2557 در بستهبندی TO-3P یک ترانزیستور قدرت MOSFET است که معمولاً برای کاربردهای سوئیچینگ و آمپلیفایرهای قدرت استفاده میشود.
SPW11N80C3 TO-247
قطعه SPW11N80C3 از سری CoolMOS™ C3 شرکت Infineon یک MOSFET توان نکانال در پکیج TO‑247-3 با ویژگیهای برجسته زیر است:
STW15NB50 W15NB50 TO-247
ترانزیستور STW15NB50 یک MOSFET کانال N با توان بالا است که توسط شرکت STMicroelectronics تولید شده و در بستهبندی TO-247 عرضه میشود. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ با ولتاژ بالا و جریان متوسط طراحی شده است.
TGA25N120ND TO-3P
کاربردها:
منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
اینورترهای صنعتی و خورشیدی
درایور موتورهای القایی و BLDC
دستگاههای جوشکاری
سیستمهای UPS و کنترل توان صنعتی
TGAN40N60FD TO-3P
مشخصات فنی TGAN40N60FD
نوع قطعه: IGBT قدرت با دیود آنتیپِرالوگ (Field‑Stop Trench)
ولتاژ Collector‑Emitter (VCES): 600 ولت
جریان Collector مداوم: تا 80 آمپر @25°C
رگولاسیون توان (Pc): حداکثر 231 وات
Vce(sat): ~1.8 ولت @25°C (سازگار با جریان بالا)
زمان بالا و پایین رفتن (tr، tf): حدود 75 نانوثانیه (سرعت بالا)
ظرفیت خروجی (C<sub>oes</sub>): تقریباً 125 پیکوفاراد
نوع بستهبندی: TO‑3PN (بستهبندی بدون بورد سیمکاریشده)
TGAN60N60FD TGAN 60N60 TO-3PN
ترانزیستور TGAN60N60FD یک ترانزیستور قدرت نوع GaN FET (ترانزیستور اثر میدانی با نیمههادی گالیوم نیترید) است. این نوع ترانزیستورها نسبت به MOSFETهای سیلیکونی رایج، دارای سرعت سوئیچینگ بالاتر، مقاومت در حالت روشن پایینتر، و بهرهوری انرژی بسیار بهتر هستند.
TIP142 TO-247
ترانزیستور TIP142 یک ترانزیستور دارلینگتون NPN است که بهطور گسترده در مدارهای قدرت و تقویتکنندهها استفاده میشود. این ترانزیستور میتواند جریان و ولتاژ بالاتری را نسبت به ترانزیستورهای معمولی تحمل کند، به همین دلیل در کاربردهایی که به توان بالا نیاز است، بسیار پرکاربرد است.
TTA1943+ TTC5200
ترانزیستورهای TTA1943 و TTC5200 دو قطعه معروف در مدارهای تقویتکننده صوت (آمپلیفایر) هستند که معمولاً بهصورت جفت مکمل (complementary pair) استفاده میشوند.