23N50E 23N50E TO3P
ترانزیستور 23N50E با پکیج TO-3P، یک MOSFET قدرت نوع N-channel است که به‌دلیل ولتاژ بالا (500 ولت) و جریان قابل تحمل (23 آمپر)، در کاربردهایی استفاده می‌شود که نیاز به کنترل توان بالا دارند.
2SK2916 K2916 TO-3P
2SK2916 یک ترانزیستور MOSFET نوع N-Channel قدرت بالا است که در بسته‌بندی TO-3P عرضه می‌شود. این MOSFET برای کاربردهای توان بالا و سوئیچینگ سریع طراحی شده است.
88N30W TO-3P
ترانزیستور 88N30W یک MOSFET کانال N با حالت افزایش (Enhancement Mode) است در بسته‌بندی TO-3P عرضه می‌شود. این ترانزیستور برای کاربردهایی با توان بالا مانند منابع تغذیه سوئیچینگ، درایورهای موتور و مبدل‌های DC-DC طراحی شده است.
E13009L TO-3P
E13009L یک ترانزیستور NPN سیلیکونی با توان بالا است که برای کاربردهای سوئیچینگ با ولتاژ و جریان بالا طراحی شده است. این قطعه به‌ویژه برای مدارهای سوئیچینگ با فرکانس بالا و بارهای القایی مناسب است.
FGH40N60SFD 40N60 TO247
ترانزیستور FGH40N60SFD یک IGBT (ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق‌شده) از نوع Field Stop است که توسط شرکت Fairchild Semiconductor (اکنون بخشی از onsemi) تولید شده است. این قطعه برای کاربردهایی با ولتاژ بالا و جریان متوسط تا زیاد طراحی شده است، از جمله منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)، درایورهای موتور، منابع تغذیه بدون وقفه (UPS) و سیستم‌های اصلاح ضریب توان (PFC).
GT60J323 60J323 TO-3PL
Type Designator: GT60J323
Type: IGBT + Anti-Parallel Diode
Type of IGBT Channel: N
Pcⓘ – Maximum Power Dissipation: 170 W
|Vce|ⓘ – Maximum Collector-Emitter Voltage: 600 V
|Vge|ⓘ – Maximum Gate-Emitter Voltage: 25 V
|Ic|ⓘ – Maximum Collector Current: 60 A @25℃
|VCEsat|ⓘ – Collector-Emitter saturation Voltage, typ: 1.9 V @25℃
Tjⓘ – Maximum Junction Temperature: 150 ℃
Qgⓘ – Total Gate Charge, typ: 400 nC
Package: TO3P
GT60N321 60N321 TO-247
ترانزیستور GT60N321 یک IGBT (ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق‌شده) کانال N است که توسط شرکت Toshiba طراحی شده و در بسته‌بندی TO-247 عرضه می‌شود. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ توان بالا مانند منابع تغذیه سوئیچینگ، اینورترها، درایورهای موتور و سیستم‌های UPS مناسب است.
IPW6R190E6 6R190E6 TO247
IPW60R190E6 Infineon MOSFET CoolMOS
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPW60R190E6IIPW60R190E6FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)190mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-So
K15J60U TK15J60U TO247
K15J60U-VB is a TO3P packaged Single-N-Channel channel MOSFETs.
The product features SJ_Multi-EPI Technology, with Vds at 600V; Vgs at 30（±V）; and Ida at 20A. K15J60U-VB MOSFET can be widely used in various electronic devices and systems requiring Single-N-Channel channel TO3P packaged MOSFETs.
The TK15J60U is MOSFET N-CH 600V 15A TO-3PN manufactured by TOSHIBA. The TK15J60U is available in TO-3P-3, SC-65-3 Package, is part of the FETs – Single, , and with support for MOSFET N-CH 600V 15A TO-3PN
KGF25N120KDA TO247
KGF25N120KDA TO247
SEMICONDUCTORKGF25N120KDATECHNICAL DATAGeneral DescriptionKEC Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energyefficiency and short circuit ruggedness.It is designed for applications such as motor control, uninterrupted powersupplies(UPS), general inverters.FEATURES High speed switchingHigh ruggedness, temperature stable behaviorShort Circuit Withstand
KGT25N120NDA TO-3P
KGT25N120NDATECHNICAL DATAGeneral DescriptionAKEC NPT IGBTs offer low switching losses, high energy efficiencyQ BNO Kand high avalanche ruggedness for soft switching application such asDIM MILLIMETERSIH(induction heating)
MJL21193 + MJL21194 TO-247
Silicon Power Transistors
MJL21193 (PNP),
MJL21194 (NPN)
The MJL21193 and MJL21194 utilize Perforated Emitter
technology and are specifically designed for high power audio output,
disk head positioners and linear applications.