23N50E 23N50E TO3P
ترانزیستور 23N50E با پکیج TO-3P، یک MOSFET قدرت نوع N-channel است که به‌دلیل ولتاژ بالا (500 ولت) و جریان قابل تحمل (23 آمپر)، در کاربردهایی استفاده می‌شود که نیاز به کنترل توان بالا دارند.
2SK2916 K2916 TO-3P
2SK2916 یک ترانزیستور MOSFET نوع N-Channel قدرت بالا است که در بسته‌بندی TO-3P عرضه می‌شود. این MOSFET برای کاربردهای توان بالا و سوئیچینگ سریع طراحی شده است.
88N30W TO-3P
ترانزیستور 88N30W یک MOSFET کانال N با حالت افزایش (Enhancement Mode) است در بسته‌بندی TO-3P عرضه می‌شود. این ترانزیستور برای کاربردهایی با توان بالا مانند منابع تغذیه سوئیچینگ، درایورهای موتور و مبدل‌های DC-DC طراحی شده است.
E13009L TO-3P
E13009L یک ترانزیستور NPN سیلیکونی با توان بالا است که برای کاربردهای سوئیچینگ با ولتاژ و جریان بالا طراحی شده است. این قطعه به‌ویژه برای مدارهای سوئیچینگ با فرکانس بالا و بارهای القایی مناسب است.
FGH40N60SFD 40N60 TO247
ترانزیستور FGH40N60SFD یک IGBT (ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق‌شده) از نوع Field Stop است که توسط شرکت Fairchild Semiconductor (اکنون بخشی از onsemi) تولید شده است. این قطعه برای کاربردهایی با ولتاژ بالا و جریان متوسط تا زیاد طراحی شده است، از جمله منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)، درایورهای موتور، منابع تغذیه بدون وقفه (UPS) و سیستم‌های اصلاح ضریب توان (PFC).
GT60J323 60J323 TO-3PL
ترانزیستور GT60J323 یک ترانزیستور قدرت از نوع IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) است که در بسته‌بندی TO-3PL عرضه می‌شود. این ترانزیستور معمولاً در منابع تغذیه سوئیچینگ، اینورترها و درایورهای موتورهای صنعتی کاربرد دارد.
GT60N321 60N321 TO-247
این ترانزیستور GT60N321 نیز از خانواده‌ی IGBT های قوی توسـیـبـا بوده و مشخصات مشابهی با مدل‌هایی مانند GT60J323 دارد، اما با ولتاژ کاری بالاتر. در ادامه مشخصات و کاربردهای آن را بررسی می‌کنیم:
IPW6R190E6 6R190E6 TO-247
IPW6R190E6 (با علامت‌گذاری 6R190E6) یک ترانزیستور MOSFET کانال N با ولتاژ شکست ۶۰۰ ولت و جریان پیوسته ۲۰.۲ آمپر است که در بسته‌بندی TO-247 عرضه می‌شود. این قطعه از سری CoolMOS™ E6 شرکت Infineon Technologies بوده و برای کاربردهای سوئیچینگ با توان بالا طراحی شده است.
K15J60U TK15J60U TO247
K15J60U یک ترانزیستور MOSFET کانال N با ولتاژ شکست ۶۰۰ ولت و جریان پیوسته ۱۵ آمپر است که در بسته‌بندی TO-3P عرضه می‌شود. این قطعه از فناوری DTMOS II شرکت Toshiba بهره می‌برد و برای کاربردهای سوئیچینگ با توان بالا طراحی شده است.
KGF25N120KDA TO247
ترانزیستور KGF25N120KDA در پکیج TO-247 یک IGBT قدرت با ولتاژ بالا و جریان نسبتاً زیاد است که معمولاً در کاربردهای سوییچینگ ولتاژ بالا مانند اینورترها، درایو موتور، UPS، منابع تغذیه سوئیچینگ، جوشکاری و سیستم‌های صنعتی استفاده می‌شود.
در اینجا مشخصات احتمالی این قطعه را بر اساس نام آن (و مشابهت با دیگر IGBTهای 25A/1200V) بررسی می‌کنیم:
KGT25N120NDA TO-3P
ترانزیستور KGT25N120NDA در بسته‌بندی TO-3P یک ترانزیستور IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) با مشخصات قدرت بالا است که در کاربردهای سوییچینگ ولتاژ و جریان زیاد، مانند منابع تغذیه سوئیچینگ، درایو موتور و اینورترها استفاده می‌شود.
MJL21193 + MJL21194 TO-264
MJL21193 و MJL21194 ترانزیستورهای سیلیکونی قدرتی از نوع PNP و NPN هستند که به‌صورت مکمل (Complementary) طراحی شده‌اند. این قطعات با استفاده از فناوری Perforated Emitter برای کاربردهای تقویت‌کننده‌های صوتی با توان بالا، موقعیت‌دهنده‌های هد دیسک و سایر کاربردهای خطی طراحی شده‌اند.