IPW6R190E6 6R190E6 TO-247
IPW6R190E6 (با علامتگذاری 6R190E6) یک ترانزیستور MOSFET کانال N با ولتاژ شکست ۶۰۰ ولت و جریان پیوسته ۲۰.۲ آمپر است که در بستهبندی TO-247 عرضه میشود. این قطعه از سری CoolMOS™ E6 شرکت Infineon Technologies بوده و برای کاربردهای سوئیچینگ با توان بالا طراحی شده است.
IRF3205 TO-220 COPY
ترانزیستور IRF3205 در واقع یک ماسفت (MOSFET) نوع N-Channel با توان بالا است که معمولاً در منابع تغذیه سوئیچینگ، اینورترها و درایو موتورها استفاده میشود. این قطعه در پکیج TO-220 عرضه میشود. مشخصات فنی مهم آن بهصورت زیر است:
تشخیص IRF3205 اورجینال از نمونههای فیک خیلی مهم است چون ماسفتهای تقلبی معمولاً تحمل جریان و توان واقعی را ندارند و در بار بالا سریع میسوزند.
IRF3205 TO220
ترانزیستور IRF3205 در واقع یک ماسفت (MOSFET) نوع N-Channel با توان بالا است که معمولاً در منابع تغذیه سوئیچینگ، اینورترها و درایو موتورها استفاده میشود. این قطعه در پکیج TO-220 عرضه میشود. مشخصات فنی مهم آن بهصورت زیر است:
IRG7IC28U IRG71C28U TO-220F
ترانزیستور IRG7SC28U یک IGBT (ترانزیستور دوقطبی با گیت عایقشده) کانال N با فناوری ترنچ پیشرفته است که توسط شرکت International Rectifier طراحی شده است. این قطعه برای کاربردهایی مانند پنلهای نمایش پلاسما (PDP)، منابع تغذیه سوئیچینگ و درایورهای موتور طراحی شده است.
JCS7N65SB TO263
قطعه JCS7N65SB یک ترانزیستور MOSFET قدرت (Power MOSFET) است. این نوع ترانزیستورها برای کلیدزنی (switching) و تقویت توان در مدارهای الکترونیکی با ولتاژ و جریان بالا استفاده میشوند.
K15A60D TK15A60D TO220F
ترانزیستور K15A60D (با نام کامل TK15A60D) یک ترانزیستور اثر میدان کانال N (N-Channel MOSFET) ساخت شرکت Toshiba است که در بستهبندی TO-220F عرضه میشود. این قطعه برای کاربردهای قدرت متوسط و ولتاژ بالا طراحی شده و در منابع تغذیه سوئیچینگ، درایورهای موتور و سیستمهای UPS کاربرد دارد.
K15J60U TK15J60U TO247
K15J60U یک ترانزیستور MOSFET کانال N با ولتاژ شکست ۶۰۰ ولت و جریان پیوسته ۱۵ آمپر است که در بستهبندی TO-3P عرضه میشود. این قطعه از فناوری DTMOS II شرکت Toshiba بهره میبرد و برای کاربردهای سوئیچینگ با توان بالا طراحی شده است.
K20A60U TK20A60 TO-220F
ترانزیستور TK20A60U (که با مارکینگ K20A60U نیز شناخته میشود) یک ترانزیستور اثر میدان (MOSFET) کانال N از نوع DTMOS II است که توسط شرکت Toshiba تولید شده است. این قطعه در بستهبندی TO-220F عرضه شده و برای کاربردهای قدرت بالا و سوئیچینگ سریع طراحی شده است.
KF7N50D-RTF KF7N50 TO252
KF7N50D-RTF یا KF7N50، یک ترانزیستور ماسفت (MOSFET) نوع N-channel با مشخصات زیر است. این قطعه معمولاً در کاربردهای سوئیچینگ و منابع تغذیه سوئیچینگ استفاده میشود.
KF7N60 TO-220
KF7N60 (یا KF7N60) یک MOSFET قدرت N‑کانال در بستر بستهبندی TO‑220 است که مخصوص کاربردهای ولتاژ بالا و جریان نسبتاً متوسط طراحی شده:
KF7N60 TO-220F
ماسفت KF7N60 با پکیج TO-220F یک ترانزیستور قدرت N-Channel با ولتاژ بالا (600V) است و به دلیل ویژگیهای مناسب در ولتاژ بالا و جریان متوسط، در کاربردهای مختلفی بهویژه در مدارات AC و منابع تغذیه مورد استفاده قرار میگیرد.
KGF25N120KDA TO247
ترانزیستور KGF25N120KDA در پکیج TO-247 یک IGBT قدرت با ولتاژ بالا و جریان نسبتاً زیاد است که معمولاً در کاربردهای سوییچینگ ولتاژ بالا مانند اینورترها، درایو موتور، UPS، منابع تغذیه سوئیچینگ، جوشکاری و سیستمهای صنعتی استفاده میشود.
در اینجا مشخصات احتمالی این قطعه را بر اساس نام آن (و مشابهت با دیگر IGBTهای 25A/1200V) بررسی میکنیم: