8001FDE TO-263-5
آیسی SI-8001FDE یک رگولاتور DC-DC از نوع Buck (کاهنده) است که توسط شرکت Sanken Electric تولید شده و در بستهبندی TO-263-5 (معروف به D2PAK) عرضه میشود. این آیسی برای کاربردهایی طراحی شده که نیاز به منبع تغذیه با راندمان بالا و فضای محدود دارند
AP 18N20GS TO-263
ترانزیستور AP18N20GS یک ترانزیستور MOSFET کانال N با ولتاژ و جریان بالا است که معمولاً در کاربردهای سوئیچینگ و تغذیه استفاده میشود. بستهبندی آن از نوع TO-263 (که به آن D2PAK نیز میگویند) است؛ این نوع پکیج برای نصب سطحی (SMD) روی برد مدار چاپی استفاده میشود و توان بالایی را میتواند دفع کند.
B10NK60Z TO263
ترانزیستور B10NK60Z یک N-Channel Power MOSFET است که در بستهبندی TO-263 (D2PAK) ارائه میشود. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ قدرت طراحی شده و معمولاً در منابع تغذیه، بالاستهای الکترونیکی، اینورترها و سایر مدارهای قدرت بالا استفاده میشود.
B15B65M1 (AO) TO-263
B15B65M1 در واقع با شماره قطعه AOB15B65M1 از شرکت Alpha & Omega Semiconductor (AOS) شناخته میشود. این قطعه یک ترانزیستور IGBT با ولتاژ شکست 650 ولت و جریان کلکتور 15 آمپر است که دارای دیود آنتیپراپال سریع و نرم میباشد.
B414 AOB414 TO-263
The AOB414/L is fabricated with SDMOSTM trench
technology that combines excellent RDS(ON) with low gate
charge.The result is outstanding efficiency with controlled
switching behavior. This universal technology is well
suited for PWM, load switching and general purpose
applications.AOB414 and AOB414L are electrically
identical.
DAF30A TO-263 SMD
دیود DAF30A یک دیود قدرتی از نوع Silicon Epitaxial Planar است که برای کاربردهای یکسوسازی با فرکانس بالا طراحی شده است. این دیود در بستهبندی TO-263 (D2PAK) عرضه میشود و توسط شرکت Panasonic Semiconductor تولید شده است
FDB8447L 8447L TO263
مدار مجتمع FDB8447L یک ترانزیستور MOSFET از نوع N-Channel است که توسط شرکت Fairchild Semiconductor طراحی و تولید شده است. این قطعه بهویژه برای کاربردهای قدرتی با ولتاژ پایین و جریان بالا مناسب است.
JCS7N65SB TO263
قطعه JCS7N65SB یک ترانزیستور MOSFET قدرت (Power MOSFET) است. این نوع ترانزیستورها برای کلیدزنی (switching) و تقویت توان در مدارهای الکترونیکی با ولتاژ و جریان بالا استفاده میشوند.
LM2940S-5.0 5V TO-263-3
The LM2940 positive-voltage regulator features the
ability to source 1 A of output current, with a typical
dropout voltage of 0.385 V and a maximum of
800 mV over the entire temperature range.
Furthermore, a quiescent current reduction circuit
has been included, which reduces the ground current
when the differential between the input voltage and
the output voltage exceeds approximately 3 V. The
quiescent current with 1 A of output current and an
input-output differential of 5 V is, therefore, only
30 mA. Higher quiescent currents only exist when
the regulator is in the dropout mode (VI – VO ≤ 3 V).
Also designed for vehicular applications, the LM2940
and all regulated circuitry are protected from reverse
battery installations or two-battery jumps. During line
transients, such as load dump when the input
voltage can momentarily exceed the specified
maximum operating voltage, the regulator
automatically shuts down to protect both the internal
circuits and the load. The LM2940 is not harmed by
temporary mirror-image insertion. Familiar regulator
features, such as short-circuit and thermal-overload
protection, also are provided.
RJP30H2A TO-263
ترانزیستور RJP30H2A یک IGBT (ترانزیستور دوقطبی با گیت عایقشده) کانال N با فناوری ترنچ و ویفر نازک است که توسط شرکت Renesas تولید میشود. این قطعه برای کاربردهایی مانند منابع تغذیه سوئیچینگ، درایورهای موتور و تقویتکنندههای قدرت طراحی شده است.
RJP63K2 TO-263
ترانزیستور RJP63K2 یک IGBT (ترانزیستور دوقطبی با گیت عایقشده) کانال N با سرعت سوئیچینگ بالا است که توسط شرکت Renesas Technology تولید میشود. این قطعه برای کاربردهایی مانند منابع تغذیه سوئیچینگ، درایورهای موتور و تقویتکنندههای قدرت طراحی شده است.
TLE4276GV (TO263-5)
کاربردها:
-
واحدهای کنترل الکترونیکی (ECU) در خودرو
-
تجهیزات صنعتی با نیاز به ولتاژ 5 ولت پایدار
-
سیستمهای تعبیهشده با میکروکنترلرها