GT60N321 60N321 TO-247
این ترانزیستور GT60N321 نیز از خانوادهی IGBT های قوی توسـیـبـا بوده و مشخصات مشابهی با مدلهایی مانند GT60J323 دارد، اما با ولتاژ کاری بالاتر. در ادامه مشخصات و کاربردهای آن را بررسی میکنیم:
IRG7IC28U IRG71C28U TO-220F
ترانزیستور IRG7SC28U یک IGBT (ترانزیستور دوقطبی با گیت عایقشده) کانال N با فناوری ترنچ پیشرفته است که توسط شرکت International Rectifier طراحی شده است. این قطعه برای کاربردهایی مانند پنلهای نمایش پلاسما (PDP)، منابع تغذیه سوئیچینگ و درایورهای موتور طراحی شده است.
KGF25N120KDA TO247
ترانزیستور KGF25N120KDA در پکیج TO-247 یک IGBT قدرت با ولتاژ بالا و جریان نسبتاً زیاد است که معمولاً در کاربردهای سوییچینگ ولتاژ بالا مانند اینورترها، درایو موتور، UPS، منابع تغذیه سوئیچینگ، جوشکاری و سیستمهای صنعتی استفاده میشود.
در اینجا مشخصات احتمالی این قطعه را بر اساس نام آن (و مشابهت با دیگر IGBTهای 25A/1200V) بررسی میکنیم:
KGT25N120NDA TO-3P
ترانزیستور KGT25N120NDA در بستهبندی TO-3P یک ترانزیستور IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) با مشخصات قدرت بالا است که در کاربردهای سوییچینگ ولتاژ و جریان زیاد، مانند منابع تغذیه سوئیچینگ، درایو موتور و اینورترها استفاده میشود.
RJP3045 TO 220F
آیسی RJP3045 یک ترانزیستور MOSFET قدرت است که برای سوئیچینگ و کاربردهای قدرت بالا طراحی شده است. این ترانزیستور در پکیج TO-220F قرار دارد، که به طور گسترده در مدارهای قدرت، مبدلهای DC-DC، درایورهای موتورها، و منابع تغذیه سوئیچینگ استفاده میشود.
RJP30H2 TO220F
ترانزیستور RJP30H2 یک IGBT کانال N با عملکرد سوئیچینگ سریع است که توسط شرکت Renesas Electronics تولید شده و در بستهبندی TO-220F عرضه میشود. این قطعه برای کاربردهایی مانند منابع تغذیه سوئیچینگ، درایورهای موتور و سیستمهای صنعتی طراحی شده است.
RJP30H2 TO220F
The IGBT is insulated-gate bipolar transistor.
This is one of the transistor types.
Part Number: RJP30H2A, RJP30H2DPK-M0
Manufacturer: Renesas, Panasonic
Package: TO220F Type
Function: N Channel IGBT, 360V, 35A
RJP30H2A TO-263
ترانزیستور RJP30H2A یک IGBT (ترانزیستور دوقطبی با گیت عایقشده) کانال N با فناوری ترنچ و ویفر نازک است که توسط شرکت Renesas تولید میشود. این قطعه برای کاربردهایی مانند منابع تغذیه سوئیچینگ، درایورهای موتور و تقویتکنندههای قدرت طراحی شده است.
RJP30Y2A TO220
RJP6055 TO-220F
RJP6055 (احتمالاً همان RJP6065 / RJP6055 تحت برند Renesas) یک تریستور IGBT کانال N با پکیج TO‑220F است.
RJP6055DPM (یا RJP6065A) یک IGBT با ولتاژ 600 V، جریان 40 A، صلب و سرعت بالا است، مناسب انواع کاربردهای قدرت و سوئیچینگ سنگین، در پکیج TO‑220F سازگار با هیتسینک.
RJP63G4 TO-220F
آیجیبیتی RJP63G4 یک ترانزیستور N‑channel IGBT است که توسط Renesas (و سابقاً Hitachi) تولید میشود و در پکیج TO‑220F عرضه میگردد. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ با توان بالا مانند منابع تغذیه و درایوهای موتور طراحی شده است.
RJP63K2 TO-263
ترانزیستور RJP63K2 یک IGBT (ترانزیستور دوقطبی با گیت عایقشده) کانال N با سرعت سوئیچینگ بالا است که توسط شرکت Renesas Technology تولید میشود. این قطعه برای کاربردهایی مانند منابع تغذیه سوئیچینگ، درایورهای موتور و تقویتکنندههای قدرت طراحی شده است.