KGT25N120NDA TO-3P
KGT25N120NDATECHNICAL DATAGeneral DescriptionAKEC NPT IGBTs offer low switching losses, high energy efficiencyQ BNO Kand high avalanche ruggedness for soft switching application such asDIM MILLIMETERSIH(induction heating)
182,000 تومان
50 در انبار
-
Official retailer
-
Quality guaranteed
-
Free delivery from $99
-
Free returns is available
توضیحات
Type Designator: KGT25N120NDA
Type: IGBT + Anti-Parallel Diode Type of IGBT Channel: N
Maximum Power Dissipation: 310W | Maximum Collector-Emitter Voltage: 1200 V| Maximum Gate-Emitter Voltage: 20 V
| Maximum Collector Current: 50 A @25|Collector-Emitter saturation Voltage, typ: 1.95 V @25
| Maximum G-E Threshold Voltag: 7 V
Maximum Junction Temperature: 150
Rise Time, typ: 50 nS
Output Capacitance, typ: 100 pF
Total Gate Charge, typ: 200 nC
Package: TO-3P
توضیحات تکمیلی
| Package |
TO-3P |
|---|---|
| کیفیت |
HIGH COPY |
برای ثبت نقد و بررسی وارد حساب کاربری خود شوید.
محصولات مشابه
دیدگاهها
پاکسازی فیلترهیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.